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IXTA 16N50P IXTP 16N50P
IXTQ 16N50P
Fig. 8. Forward Voltage Drop of
26
24
22
20
18
Fig. 7. Transconductance
70
60
50
Intrinsic Diode
16
14
12
10
T J = - 40oC
25oC
125oC
40
30
8
6
4
2
0
20
10
0
T J = 125oC
T J = 25oC
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
10
I D - Amperes
Fig. 9. Gate Charge
10,000
V SD - Volts
Fig. 10. Capacitance
9
V DS = 250V
I D = 8A
f = 1 MHz
8
I G = 10mA
1,000
C iss
7
6
5
100
C oss
4
3
10
2
1
0
1
C rss
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0
5
10
15
20
25
30
35
40
100
Q G - NanoCoulombs
Fig. 11. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
25μs
1.00
V DS - Volts
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Resistance
10
1
T J = 150oC
T C = 25oC
DC
100μs
1ms
10m
0.10
0.01
10
100
1000
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse W idth - Seconds
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IXTQ180N055T 功能描述:MOSFET 180 Amps 55V 0.004 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ180N085T 功能描述:MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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IXTQ200N075T 功能描述:MOSFET 200 Amps 75V 4.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube